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发布时间：2020/4/14 
浏览次数：251 IFM传感器噪音如何处理?
IFM传感器在圆形硅膜片N型定域扩散4条P杂质电阻条，并接成全桥，其中两条位于压应力区，另两条处于拉应力区，相对于膜片中心对称。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上扩散制作电阻条，两条受拉应力的电阻条与另两条受压应力的电阻条构成全桥。
IFM传感器的种类繁多，如电阻应变片压力传感器、半导体应变片压力传感器、压阻式压力传感器、电感式压力传感器、电容式压力传感器、谐振式压力传感器及电容式加速度传感器等。但应用广泛的是压阻式压力传感器，它具有极低的价格和较高的精度以及较好的线性特性。这种传感器采用集成工艺将电阻条集成在单晶硅膜片上，制成硅压阻芯片，并将此芯片的周边固定封装于外壳之内，引出电极引线。
IFM传感器主要由固定在硅杯上的硅杯膜片和外壳组成。硅膜片的上下有低压腔和高压腔，高压腔通入被测压力，低压腔与大气相通，检测表压力。也可以分别通入高、低压力，检测差压力。在被测压力或差压作用下，硅膜片产生应变，扩散电阻的阻值随应变而变化。传感器的外形结构因被测介质性质和测压环境而有所不同。由硅杯膜片构成的压力传感器又称为扩散硅压力传感器。
已经出现的集成压阻式压力传感器（又称固态压力传感器），采用大规模集成电路技术，将扩散电阻、检测放大电路、温度补傥电路乃至电源变换电路和微处理器集成在同一块中晶硅膜片上，兼有信号检测、处理（放大、运算、补偿）、记忆功能，从而大大地提高了传感器的稳定性和测量准确度。
IFM传感器的优缺点
1、对于压力传感器低频噪声主要是由于内部的导电微粒出现不连续而导致的。特别是对于碳膜电阻，它的碳质材料内部往往会存在很多微小颗粒，颗粒之间是不连续的，在电流流过期，会使电阻的导电率发生变化引起电流的变化，产生类似接触不好的闪爆电弧。
2、对于半导体器件产生的散粒噪声，主要是由于半导体PN结两端势垒区电压的变化引起累积在此区域的电荷数目改变，从而显现出电容效应。当正向电压减小时，它又使电子和空穴阔别耗尽区，相称于电容放电。
3、当外加反向电压时，耗尽区的变化相反。当电流流经势垒区时，这种变化会引起流过势垒区的生微小波动，从而产生电流噪声。一般在压力传感器电路板上的电磁元件，如果产生干扰很多电路板上都有继电器、线圈等电磁元件，在电畅通流畅过期其线圈的电感和外壳的分布电容向附近辐射能量，其能量会对附近的电路产生干扰。
4、像继电器等元件其反复工作，通断电时会产生瞬间的反向高压，形成瞬时浪涌电流，这种瞬间的高压对电路将产生大的冲击，从而严峻干扰电路的正常工作。
在选择压力传感器的时候我们要考虑他的综合精度，而压力传感器的精度受哪些方面的影响呢?其实造成传感器误差的因素有很多，下面我们注意说四个无法避免的误差，这是传感器的初始误差。
的偏移量误差：由于压力传感器在整个压力范围内垂直偏移保持恒定，因此变换器扩散和激光调节修正的变化将产生偏移量误差。
其次是灵敏度误差：产生误差大小与压力成正比。如果设备的灵敏度高于典型值，灵敏度误差将是压力的递增函数。如果灵敏度低于典型值，那么灵敏度误差将是压力的递减函数。该误差的产生原因在于扩散过程的变化。
三是线性误差：这是一个对IFM传感器始误差影响较小的因素，该误差的产生原因在于硅片的物理非线性，但对于带放大器的传感器，还应包括放大器的非线性。线性误差曲线可以是凹形曲线，也可以是凸形曲线称重传感器。
后是滞后误差：在大多数情形中，IFM传感器的滞后误差*可以忽略不计，因为硅片具有很高的机械刚度。一般只需在压力变化很大的情形中考虑滞后误差。
压力传感器的这个四个误差是无法避免的，我们只能选择高精度的设备，利用高新技术来降低这些误差，还可以在出厂的时候进行一定的误差校准，尽大的可能来降低误差以满足客户的需要
压力传感器是目前所有传感器种类来说，是使用多的传感器，它的市场占有量也不不可估量的，那么它的各项技术也得根据市场需要，进行不断的改进和完善，以适应各个域越来越苛刻的环境。
压力传感器一般来说是通过直接接触或间接的接触被测量对象来获取相关的信息，它和被测物同时都处于被干扰的的环境之中，不可避免都会受到外界的干扰因素。现主要以压力传感器和电容式压力传感器表现得相对比较显出一点，它的抗干扰手段可以从结构和软件上着手解决这个问题。改善压力传感器的结构，在一定阶以避免一些干扰，通过将信号处理电路与传感器敏感元器件做成一个整体，这样传输信号增强，抗干扰能力也相对的增强了。因为是一体化的，也就减少了干扰的引入；集成化传感器具有结构紧凑、功能强的特点。还有就是从软件上着手，像数字滤波，定时自校，特性补偿等等一些措施来执行。
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